Kioxia y Western Digital anuncian una nueva memoria flash 3D

Demostrando la innovación de manera continua, Kioxia Corporation y Western Digital anunciaron los detalles de su tecnología de memoria flash 3D más reciente. Aplicando las tecnologías avanzadas de escalamiento y unión de obleas (wafer bonding), la memoria flash 3D brinda capacidad excepcional, rendimiento y fiabilidad a un costo convincente, que es ideal para cumplir con las necesidades de datos exponenciales en toda la amplia gama de los segmentos de mercados.

“La nueva memoria flash 3D demuestra los beneficios de nuestra sólida asociación con Kioxia y nuestro liderazgo combinado de innovación”, expresó Alper Ilkbahar, vicepresidente sénior de Tecnología y Estrategia de Western Digital. “Al trabajar con una hoja de ruta de I+D común e inversión continua en I+D, hemos podido comercializar esta tecnología fundamental antes de lo programado y ofrecer soluciones de alto rendimiento y eficientes en función del capital”.

Kioxia y Western Digital redujeron el costo introduciendo varias arquitecturas y procesos únicos que permiten continuos progresos de escalamiento lateral. Este equilibrio entre el escalamiento vertical y lateral produce mayor capacidad en un troquel más pequeño con menos capas a un costo optimizado. Las empresas también han desarrollado tecnologías innovadoras de CBA (CMOS directamente unidas a celdas), en la que cada oblea CMOS y oblea del conjunto de celdas están fabricadas de manera separada en su condición optimizada y luego unidas para ofrecer mejor densidad de bits y rápida velocidad de NAND I/O.

“A través de nuestra exclusiva asociación de ingeniería, hemos lanzado de manera exitosa la octava generación de BiCS FLASH con la densidad de bits más alta de la industria”, manifestó Masaki Momodomi, director de tecnología de Kioxia Corporation. “Me agrada que hayan empezado los embarques de muestras de Kioxia para clientes limitados. Aplicando la tecnología de CBA y las innovaciones de escalamiento, hemos progresado en nuestra cartera de tecnologías de memoria flash 3D para uso en una amplia gama de aplicaciones centradas en datos, que incluyen teléfonos inteligentes, dispositivos de IdC y centros de datos”.

El flash 3D de 218 capas aprovecha la celda de triple nivel (triple-level-cell, TLC) y la celda de cuádruple nivel (quad-level-cell, QLC) de 1Tb con cuatro planos y cuenta con tecnología de retracción lateral innovadora para aumentar la densidad de bits en un 50 por ciento. Su NAND I/O de alta velocidad a más de 3,2Gb/s, una mejora de un 60 por ciento con respecto a la generación anterior, combinada con un rendimiento de escritura de un 20 por ciento y mejora de latencia de lectura, acelerará todo el rendimiento general y el uso de los usuarios.